专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果677223个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置-CN202121766213.7有效
  • 黄国强;黄琪琪;王乃治;刘建华;耿强 - 天津大学
  • 2021-07-30 - 2022-02-25 - C01B33/107
  • 本实用新型涉及三氢硅除碳反应‑选择性吸附耦合装置。三氢硅‑甲基二硅烷‑原料罐出料管路连接三氢硅‑甲基二硅烷‑进料泵;三氢硅‑甲基二硅烷‑进料泵出料管路连接甲基二硅烷‑反应吸附塔底部;甲基二硅烷‑反应吸附塔顶部管路连接甲基三硅烷产品罐;甲基三硅烷产品泵通过管路连接甲基三硅烷产品罐;储罐出料管路连接进料泵;进料泵出料管路连接甲基二硅烷‑反应吸附塔顶部;甲基二硅烷‑反应吸附塔塔底设置一出料管,排除解吸液。采用本实用新型的装置提供的一种三氢硅除碳反应‑选择性吸附耦合过程,甲基二硅烷的转化率可达90%以上。
  • 三氯氢硅反应选择性吸附耦合装置
  • [发明专利]氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法-CN202110876164.0有效
  • 黄国强;黄琪琪;王乃治;刘建华;耿强 - 天津大学
  • 2021-07-30 - 2023-09-26 - C01B33/107
  • 本发明涉及三氢硅除碳反应‑选择性吸附耦合装置及方法。三氢硅、甲基二硅烷和源由原料罐通过进料泵,经预热器于底部进入反应吸附塔,甲基二硅烷和在反应吸附塔内发生反应,转化为高沸点的物质,反应吸附塔内的吸附剂选择性不吸附甲基三硅烷;反应吸附塔顶部出料部分作为甲基三硅烷产品,进入甲基三硅烷产品罐,再由甲基三硅烷产品泵采出;甲基三硅烷不断采出使得甲基二硅烷不断反应,最终达到除碳的目的;进料泵于顶部进入甲基二硅烷‑反应吸附塔,进行解吸过程,使得吸附剂可重复利用本发明催化反应和选择性吸附同时进行,可实现连续工作,操作简单,甲基二硅烷的转化率可达90%以上。
  • 三氯氢硅反应选择性吸附耦合装置方法
  • [实用新型]一种采用不同相态热提高氯气液化效率的系统-CN202021922989.9有效
  • 董晓政;陈维诚;雷雨;李林恒 - 甘肃北方三泰化工有限公司
  • 2020-09-07 - 2021-07-09 - F17D1/04
  • 本实用新型提供了一种采用不同相态热提高氯气液化效率的系统,包括换热器,干燥氯气输送管与换热器热介质进口通过管道相接,换热器热介质出口与氯气液化器进口相接,氯气液化器出口与液储槽进口相接,液储槽出口与屏蔽泵输入端相接,屏蔽泵输出端与换热器冷入口相接通,换热器冷出口通过设有控制阀的连接管与液汽化器冷入口相接,液汽化器冷出口与输入下游用户管线相接通;液汽化器热源进口与热水上水管相接,液汽化器的热源出口与热水回水管相接本实用新型将两种相态的氯气经过热交换,将气降温、液加热升温,采用同一套系统实现不同相态热的交换,提高了液化效率,节能降耗,工艺简单,运行安全可靠。
  • 一种采用不同相态提高氯气液化效率系统
  • [发明专利]一种扩散炉磷供给系统-CN202310748065.3在审
  • 程亮亮;李枫 - 徐州中辉光伏科技有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-29 - C30B31/16
  • 本发明公开了一种扩散炉磷供给系统,关于太阳能电池制造技术领域,包括扩散炉磷供给装置,所述扩散炉磷供给装置包括液态磷瓶,内部储存有液态三氧磷;氮气供给管路包括氮气主管、第一氮气支管和第二氮气支管本发明能够使氮气喷出的水平距离随着液面的降低而增加,以此来确保氮气与液态三氧磷的接触时间,使氮气能够携带足量的三氧磷,从而使磷蒸汽中三含量稳定,进而保障磷的均匀供给,通过加热箱加热氮气,利用热氮气与磷蒸汽混合达到对磷的预热,避免供给磷引起扩散炉温度变化,提高电池片的扩散品质。
  • 一种扩散炉磷源供给系统
  • [发明专利]锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法-CN201910614722.9有效
  • S.B.赫纳;E.哈拉里 - 日升存储公司
  • 2019-07-09 - 2023-10-17 - H01L21/205
  • 一种用于形成锑掺杂的含硅层的工艺,包含:(a)使用锑气体和硅气体或硅气体和锗气体的组合,通过化学气相沉积在半导体结构上方沉积锑掺杂的含硅层;以及(b)在不大于800℃的温度下退火锑掺杂的含硅层。锑气体可以包含以下中的一种或多种:三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。硅气体包括以下中的一种或多种:硅烷、二硅烷、三硅烷(TCS)、二硅烷(DCS)、一硅烷(MCS)、甲基硅烷,以及四氯化硅。锗气体包括锗烷。
  • 掺杂硅锗膜原位制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top